为什么二次电子像景深大，为什么电影镜头景深大

1，为什么电影镜头景深大

电影比电视景深小，因为像场大，光圈大。电影比摄影景深大，因为虽然光圈大一些，但是像场小很多。

主要是因为手机镜头焦距短，多数都是广角镜头同样光圈下，同样距离，焦距越短，景深越大，所以手机很难拍摄浅景深照片景深大，也就免除了复杂的对焦功能这也是为什么过去的傻瓜相机拍什么都挺清楚的原因

景深大么？应当是小才对。

为什么电影镜头景深大

2，扫描电镜二次电子像怎么判断是空洞还是相

第一、扫描电镜照片是灰度图像，分为二次电子像和背散射电子像，主要用于表面微观形貌观察或者表面元素分布观察。一般二次电子像主要反映样品表面微观形貌，基本和自然光反映的形貌一致，特殊情况需要对比分析。背散射电子像主要反映样品表面元素分布情况，越亮的区域，原子序数越高。第二、看表面形貌，电子成像，亮的区域高，暗的区域低。非常薄的薄膜，背散射电子会造成假像。导电性差时，电子积聚也会造成假像。

扫描电镜二次电子像怎么判断是空洞还是相

3，为什么扫描电镜形貌像有很强的立体感

首先，很重要的一点，扫描电镜的原理是电子束打到样品表面，激发出特征信号，探头接收后转化为数字信号形成图像。无论样品侧边的二次电子探头或者内置二次电子探头，其位置是固定的。当电子束打到样品上，因为各个微观区域的样品形貌（高低角度）不同有独特特征，激发出的信号并能够传递到探头里的信号，不同位置就有不同的特征；还有一点，电镜电子束波长很短导致电镜形貌图像景深比较大，使图像立体感强。基于以上两点，电镜形貌像有很强的立体感。

不明白啊 = =！

为什么扫描电镜形貌像有很强的立体感

4，二次电子扫描像为什么可以反映样品表面或者断面的形貌信息

你好！该信号来自样品表层，信号强度和表层表面相对初级照射束的角度有函数关系。由于边缘效应和深孔效应，进一步突出形貌轮廓。希望对你有所帮助，望采纳。

你说的是SEM电镜吧，这主要是它的成像原理导致的其可以反映样品表面或者断面的形貌信息。SEM的工作原理为：从电子枪阴极发出的直径20(m～30(m的电子束，受到阴阳极之间加速电压的作用，射向镜筒，经过聚光镜及物镜的会聚作用，缩小成直径约几毫微米的电子探针。在物镜上部的扫描线圈的作用下，电子探针在样品表面作光栅状扫描并且激发出多种电子信号。这些电子信号被相应的检测器检测，经过放大、转换，变成电压信号，最后被送到显像管的栅极上并且调制显像管的亮度。显像管中的电子束在荧光屏上也作光栅状扫描，并且这种扫描运动与样品表面的电子束的扫描运动严格同步，这样即获得衬度与所接收信号强度相对应的扫描电子像，这种图象反映了样品表面的形貌特征。

5，扫描电镜中二次电子像为什么比背射电子像的分辨率更高

在相同大小微观区域，可以分割排列更多像素，图像分辨率因此更高。分辨率可以从显示分辨率与图像分辨率两个方向来分类。显示分辨率(屏幕分辨率)是屏幕图像的精密度，是指显示器所能显示的像素有多少。由于屏幕上的点、线和面都是由像素组成的，显示器可显示的像素越多，画面就越精细，同样的屏幕区域内能显示的信息也越多，所以分辨率是个非常重要的性能指标之一。可以把整个图像想象成是一个大型的棋盘，而分辨率的表示方式就是所有经线和纬线交叉点的数目。显示分辨率一定的情况下，显示屏越小图像越清晰，反之，显示屏大小固定时，显示分辨率越高图像越清晰。图像分辨率则是单位英寸中所包含的像素点数，其定义更趋近于分辨率本身的定义。

在同一个像素点，主要二次电子取样区相对背散射电子取样区要小很多，因此在相同大小微观区域，可以分割排列更多像素，图像分辨率因此更高！对此有问题可以继续提问！

1. 灯丝。钨灯丝分辨率低，场发射枪分辨率高。冷场发射最高。2. 工作距离。工作距离小，分辨率高，反之亦然。3. 试片。导电好，分辨率高。反之亦然。

6，SEM背散射电子下原子系数越大是越亮还是越暗二次电子下是不

背散射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的，所以原子序数大的原子越大，弹性碰撞的概率越大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基本么有，倾斜装机的二次电子产率就很高了，所以二次电子像是跟样品观察角度有关的。

二次电子像中也会有少量的背散射电子参与成像，因此当成分差别特别大的时候，在二次电子像中也会呈现成分的衬度，但是没有背散射中那么明显。楼上说的对，TEM中样品越厚，取向越正，明场像就会越黑，此外原子序数也会在明场像中得到反映，原子序数越大对电子的散射越多，因此观察到的TEM明场像就越黑。

SEM背散射电子图像中，原子序数越大越亮，二次电子图像衬度跟原子序数无关，跟表面有关，越是“突兀或是尖锐”的地方越亮。至于TEM中的衬度就复杂一些，跟样品的厚度、晶体的取向和观察方向都有关系。

7，影响透射电子显微镜分辨率的因素有哪些

影响扫描电镜的分辨本领的主要因素有：A. 入射电子束束斑直径：为扫描电镜分辨本领的极限。一般，热阴极电子枪的最小束斑直径可缩小到6nm，场发射电子枪可使束斑直径小于3nm。B. 入射电子束在样品中的扩展效应：扩散程度取决于入射束电子能量和样品原子序数的高低。入射束能量越高，样品原子序数越小，则电子束作用体积越大，产生信号的区域随电子束的扩散而增大，从而降低了分辨率.C. 成像方式及所用的调制信号：当以二次电子为调制信号时，由于其能量低(小于50 eV)，平均自由程短（10~100 nm左右），只有在表层50～100 nm的深度范围内的二次电子才能逸出样品表面，发生散射次数很有限，基本未向侧向扩展，因此，二次电子像分辨率约等于束斑直径。当以背散射电子为调制信号时，由于背散射电子能量比较高，穿透能力强，可从样品中较深的区域逸出(约为有效作用深度的30％左右)。在此深度范围，入射电子已有了相当宽的侧向扩展，所以背散射电子像分辨率要比二次电子像低，一般在500～2000nm左右。如果以吸收电子、X射线、阴极荧光、束感生电导或电位等作为调制信号的其他操作方式，由于信号来自整个电子束散射区域，所得扫描像的分辨率都比较低，一般在l 000 nm或l0000nm以上不等。

http://emuch.net/journal/article.php?id=CJFDTotal-YXWZ200304030 造成显微镜光学像欠缺的因素主要在物镜组，有像差、衍射和光噪声等，它们是影响显微镜分辨率的主要因素，其次照明对显微镜的分辨率也有一定的影响

在光学显微镜下无法看清小于0.2μm的细微结构，这些结构称为亚显微结构（submicroscopic structures）或超微结构（ultramicroscopic structures；ultrastructures）。要想看清这些结构，就必须选择波长更短的光源，以提高显微镜的分辨率。1932年ruska发明了以电子束为光源的透射电子显微镜（transmission electron microscope，tem），电子束的波长要比可见光和紫外光短得多，并且电子束的波长与发射电子束的电压平方根成反比，也就是说电压越高波长越短。目前tem的分辨力可达0.2nm。　　电子显微镜与光学显微镜的成像原理基本一样，所不同的是前者用电子束作光源，用电磁场作透镜。另外，由于电子束的穿透力很弱，因此用于电镜的标本须制成厚度约50nm左右的超薄切片。这种切片需要用超薄切片机（ultramicrotome）制作。电子显微镜的放大倍数最高可达近百万倍、由电子照明系统、电磁透镜成像系统、真空系统、记录系统、电源系统等5部分构成，如果细分的话：主体部分是电子透镜和显像记录系统，由置于真空中的电子枪、聚光镜、物样室、物镜、衍射镜、中间镜、投影镜、荧光屏和照相机。　　电子显微镜是使用电子来展示物件的内部或表面的显微镜。高速的电子的波长比可见光的波长短（波粒二象性），而显微镜的分辨率受其使用的波长的限制，因此电子显微镜的分辨率（约0.1纳米）远高于光学显微镜的分辨率（约200纳米）。