能否给出我答案半导体物理器件的一般,从半导体材料的基本特性来看,临界雪崩击穿电场强度Ec越大,载流子饱和漂移速度vs越高,晶体管的最大功率处理能力就越强,特征频率也相应地越高。因此,可以采用半导体材料的临界雪崩击穿电场强度与载流子饱和漂移速度的乘积来作为评价不同半导材料对制作高频大功率晶体管的适应能力。2,单层MoS2建模求助在SPICEⅡ中,MOS晶体管的模型有几种,例如:MOS1:一级平方律模型。——只考虑了MOSFET的基本性能;适用于长沟道、低精度的情况。MOS2:二级分析模型。——考虑了MO...
更新时间:2022-12-28标签: 什么是长沟道什么是长沟道 全文阅读